● 科研论文 ● 学术著作 ● 专利及软件著作权 1. 发明专利,袁小武、李宏、卢苇、黎亚文、杨武勇、雷聪,一种以工业铍制备高纯铍的方法,申请号:CN202011597846.x,公开号:CN112813288A,专利号:2020 1 1597846.X 2. 发明专利,袁小武、雷聪、杨武勇、李景阳、杨旭、孙平、张程,一种碲镉汞材料的回收系统及方法,申请号:20190784662.5,专利号:ZL 2019 1 1118756.5 3. 发明专利,袁小武、阴宛珊、张文军,一种工业钠熔融电解提纯为高纯钠的工艺 ,申请号:CN201810256269.4公开号:CN108624913A,专利号:ZL 2018 1 0256269.4 4. 实用新型,袁小武、雷聪、杨武勇、李景阳、杨旭、孙平、张程,一种碲镉汞材料的回收系统,申请号:CN201921975342.X,公开号:CN211521598U,专利号:ZL 2019 2 1975342.X 5. 实用新型,袁小武、李宏、卢苇、黎亚文、杨武勇、雷聪,用于制备高纯铍的生产系统,申请号:CN202023228972.6,公开号:CN214168085U,专利号:ZL 2020 2 3228972.6 6. 实用新型,袁小武、李宏、卢苇、黎亚文、杨武勇、雷聪,一种以工业铍制备高纯铍的环保生产系统,申请号:CN202023251435.3,公开号:CN214168086U,专利号:ZL 2020 2 3251435.3 ● 科研成果奖 1. 2009年主持的《20英寸热场6英寸单晶硅生产工艺研究》获峨嵋半导体材料研究所科技进步二等奖(项目负责人); 2. 2009年参与的《直拉Φ8´太阳能级单晶生长技术研究》获峨嵋半导体材料研究所科技进步三等奖(参与)。 |