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袁小武

作者:时间:2024-09-18点击数:


学历/学位:研究生/博士

    称:正高级工程师

通信地址:四川省宜宾市翠屏区酒圣路8

   箱:yxw711@163.com

研究方向:新能源材料

联系电话:13541225063

个人简介

●博士、正高级工程师,四川大学材料物理与化学专业毕业。现任新材料产业技术研究院教师。

●研究领域:目前主要从事新能源材料产业技术研究,研究超高纯石英砂技术(光伏石英坩埚内层砂)、多晶硅技术、单晶硅技术、硅片加工技术、光伏电池技术、光伏电站系统技术、光伏电站运营技术,锂离子电池硅碳负极材料技术、锂离子电池技术、钠离子电池技术、储能电池组件技术、光储技术等。。

●社会兼职:宜宾市科技局评审专家、宜宾市经信局评审专家。

●获奖及荣誉: 2019年东方电气集团中央研究院先进工作者。

 教学成果:

 科研成果:主持了2019年四川省重点研发任务子课题1,中国东方电气集团有限公司产业研究项目5项,峨嵋半导体材料研究所科研项目1;横向科研项目2余项、产业研究项目两项。发表了学术论文22多篇;授权了10项发明专利19项实用新型专利

学习工作简历

1991.091995.06 四川大学,材料科学专业,本科

1995.071999.08 峨嵋半导体材料研究所 硅晶体生长、加工,技术员

1999.092002.06 四川大学 凝聚态物理专业,理学硕士

2002.092005.06 四川大学 材料物理与化学专业,工学博士

2005.072007.08 中国科学院光电技术研究所 纳米多层膜技术,助力研究员

2007.112010.09 东方电气集团峨嵋半导体材料研究所 硅单晶生长、加工,副总工,高级工程师

2010.092018.12 中国东方电气集团有限公司中央研究院 太阳能技术研究员 高级工程师

2019.012022.09 东方电气集团研究院科学技术有限公司 产业研究员,正高级工程师

2022.09至今     宜宾学院新材料产业技术研究院教师,新能源材料研究,正高级工程师

 

主要研究项目

● 承担主要科研项目

1. 负责四川省重点研发任务《超高纯金属产业化工艺研究》子课题《碲化镉、碲镉汞的残料回收环保试验线》,项目编号:2019YFG0513

2. 承担峨嵋半导体材料研究所横向课题《碲镉汞材料回收再利用小试技术开发》。

咨询研究报告

1. 主笔国资委《中央企业发展新能源产业的战略研究(太阳能篇)》

2. 承担中国东方电气集团有限公司《东方电气集团打造综合解决方案的路径研究》;

3. 承担中国东方电气集团有限公司《中国东方电气集团有限公司中长期(2025-2035)科技创新发展趋势预测》

4. 承担中国东方电气集团有限公司 《东方电气储能产业研究报告》

5. 承担中国东方电气集团有限公司 《东方电气集团打造能源综合解决方案研究报告》

6. 承担北京远洋共创能源科技有限公司横向课题《石英砂产业报告》;

7. 承担成都天府恒益股权投资基金合伙企业横向课题《关于注资宝鸡泰华磁动力基地项目的可行性研究报告》

 

代表性研究成果

● 科研论文

● 学术著作

● 专利及软件著作权

1. 发明专利袁小武、李宏、卢苇、黎亚文、杨武勇、雷聪,一种以工业铍制备高纯铍的方法,申请号:CN202011597846.x,公开号:CN112813288A,专利号:2020 1 1597846.X

2. 发明专利袁小武、雷聪、杨武勇、李景阳、杨旭、孙平、张程,一种碲镉汞材料的回收系统及方法,申请号:20190784662.5,专利号:ZL 2019 1 1118756.5

3. 发明专利袁小武、阴宛珊、张文军,一种工业钠熔融电解提纯为高纯钠的工艺 ,申请号:CN201810256269.4公开号:CN108624913A,专利号:ZL 2018 1 0256269.4

4. 实用新型袁小武、雷聪、杨武勇、李景阳、杨旭、孙平、张程,一种碲镉汞材料的回收系统,申请号:CN201921975342.X,公开号:CN211521598U,专利号:ZL 2019 2 1975342.X

5. 实用新型袁小武、李宏、卢苇、黎亚文、杨武勇、雷聪,用于制备高纯铍的生产系统,申请号:CN202023228972.6,公开号:CN214168085U,专利号:ZL 2020 2 3228972.6

6. 实用新型袁小武、李宏、卢苇、黎亚文、杨武勇、雷聪,一种以工业铍制备高纯铍的环保生产系统,申请号:CN202023251435.3,公开号:CN214168086U,专利号:ZL 2020 2 3251435.3

 

● 科研成果奖

1. 2009年主持的《20英寸热场6英寸单晶硅生产工艺研究》获峨嵋半导体材料研究所科技进步二等奖(项目负责人);

2. 2009年参与的《直拉Φ8´太阳能级单晶生长技术研究》获峨嵋半导体材料研究所科技进步三等奖(参与)。

 

 

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